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BYV25F-600
BYV25F-600 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- WeEn Semiconductors
- Référence:
- BYV25F-600
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.9 V @ 5 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | WeEn Semiconductors |
| Référence de base | BYV25 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 50 µA @ 600 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.9 V @ 5 A |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 35 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | 150°C (Max) |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 600 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 5A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-220AC |
| Boîtier | Tube |
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel