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AU5517DR2G
AU5517DR2G · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- AU5517DR2G
- Courant d’alimentation:
- 2.6 MA
- Courant de polarisation d’entrée:
- 5 UA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Série | NE5517 |
| Fabricant | Onsemi |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant d’alimentation | 2.6 MA |
| Courant de polarisation d’entrée | 5 UA |
| Température minimale de fonctionnement | - 40 C |
| Vitesse de balayage | 50 V/us |
| Tension d’alimentation maximale | 44 V |
| Température maximale de fonctionnement | + 125 C |
| Tension d’alimentation minimale | 4 V |
| Courant de sortie par canal | 650 UA |
| Nombre de canaux | 2 canaux |
| Tension de décalage d’entrée | 5 MV |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | SMD/SMT |
| Boîtier | SOIC-16 |
| Conditionnement | Bobine |
| Produit gain-bande passante | 2 MHz |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 2
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Category | Transconductance Amplifiers |
|---|---|
| Forward Transconductance - Min | 5400 US |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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- Température de fonctionnement
- Industriel


