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TRS16N65FB
TRS16N65FB · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Référence:
- TRS16N65FB
- Courant redressé moyen (Io) / diode:
- 8A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement:
- 175°C (Max)
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Référence de base | TRS16N65 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant redressé moyen (Io) / diode | 8A (DC) |
| Température de jonction en fonctionnement | 175°C (Max) |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.7 V @ 8 A |
| Configuration des diodes | 1 paire à cathode commune |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0 Ns |
| Technologie | Schottky SiC (carbure de silicium) |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 650 V |
| Vitesse | Sans temps de recouvrement > 500mA (Io) |
| Courant de fuite inverse à Vr | 90 µA @ 650 V |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-247 |
| Boîtier | Tube |
| Type de montage | Montage traversant |
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Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel