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BAS19W
BAS19W · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Référence:
- BAS19W
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 100 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.25 V @ 100 MA
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Référence de base | BAS19 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 100 NA @ 100 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.25 V @ 100 MA |
| Capacité à Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 50 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | 125°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 100 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 200mA |
| Vitesse | Petit signal =< 200mA (Io), toute vitesse |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-323 |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel