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MBR1645-2HE3/45

MBR1645-2HE3/45 · Composants électroniques

Informations produit

Fabricant:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Référence:
MBR1645-2HE3/45
Courant de fuite inverse à Vr:
200 µA @ 45 V
Température de jonction en fonctionnement:
-65°C ~ 150°C

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Caractéristiques techniques

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Identification du composant

ParamètreValeur
CatégorieSemi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes
SérieAutomobile, AEC-Q101
FabricantVishay General Semiconductor - Diodes Division
Référence de baseMBR16

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Courant de fuite inverse à Vr200 µA @ 45 V
Température de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C
Tension directe maximale (Vf) à If750 MV @ 16 A
TechnologieSchottky
Tension inverse CC maximale (Vr)45 V
VitesseRecouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io)

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Boîtier indiqué par le fabricant–-220AC
BoîtierTube
Type de montageMontage traversant

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Description

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