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GSXD080A006S1-D3

GSXD080A006S1-D3 · Composants électroniques

Informations produit

Fabricant:
SemiQ
Référence:
GSXD080A006S1-D3
Courant redressé moyen (Io) / diode:
80A
Température de jonction en fonctionnement:
-40°C ~ 150°C

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Caractéristiques techniques

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Identification du composant

ParamètreValeur
CatégorieSemi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes
FabricantSemiQ
Référence de baseGSXD080

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Courant redressé moyen (Io) / diode80A
Température de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C
Tension directe maximale (Vf) à If750 MV @ 80 A
Configuration des diodes2 indépendants
TechnologieSchottky
Tension inverse CC maximale (Vr)60 V
VitesseRecouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant de fuite inverse à Vr1 MA @ 60 V

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Boîtier indiqué par le fabricantSOT-227
BoîtierTube
Type de montageMontage sur châssis

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Description

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