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RBQ30NS45BFHTL
RBQ30NS45BFHTL · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Rohm Semiconductor
- Référence:
- RBQ30NS45BFHTL
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 350 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 590 MV @ 30 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Automobile, AEC-Q101 |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Référence de base | RBQ30 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 350 µA @ 45 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 590 MV @ 30 A |
| Technologie | Schottky |
| Température de jonction en fonctionnement | 150°C (Max) |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 45 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 30A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | LPDS |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel