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VS-HFA200FA120P
VS-HFA200FA120P · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- VS-HFA200FA120P
- Courant redressé moyen (Io) / diode:
- 100A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement:
- -55°C ~ 150°C
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes |
| Série | HEXFRED® |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | HFA200 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant redressé moyen (Io) / diode | 100A (DC) |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 3.6 V @ 100 A |
| Configuration des diodes | 2 indépendants |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 150 Ns |
| Technologie | Standard |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 1200 V |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Courant de fuite inverse à Vr | 75 µA @ 1200 V |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-227 |
| Type de montage | Montage sur châssis |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Package / Case | Tray |
|---|
Description
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- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel


