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TRS12N65D
TRS12N65D · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Référence:
- TRS12N65D
- Courant redressé moyen (Io) / diode:
- 6A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement:
- 175°C (Max)
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Référence de base | TRS12N |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant redressé moyen (Io) / diode | 6A (DC) |
| Température de jonction en fonctionnement | 175°C (Max) |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.7 V @ 6 A |
| Configuration des diodes | 1 paire à cathode commune |
| Technologie | Schottky |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 650 V |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Courant de fuite inverse à Vr | 90 µA @ 650 V |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-247 |
| Boîtier | Tube |
| Type de montage | Montage traversant |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel