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1SS83TD-E
1SS83TD-E · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Renesas Electronics America Inc
- Référence:
- 1SS83TD-E
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 200 NA @ 250 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1 V @ 100 MA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Renesas Electronics America Inc |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 200 NA @ 250 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1 V @ 100 MA |
| Capacité à Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 100 Ns |
| Température de jonction en fonctionnement | 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 250 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 200mA |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-35 |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel