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RB886YT2R
RB886YT2R · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Rohm Semiconductor
- Référence:
- RB886YT2R
- Capacité à Vr, F:
- 0.8pF @ 1V, 1MHz
- Température de fonctionnement:
- 125°C (TJ)
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Diodes RF |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Référence de base | RB886Y |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Capacité à Vr, F | 0.8pF @ 1V, 1MHz |
| Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | EMD4 |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 3
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Current - Max | 10 MA |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
| Diode Type | Schottky - Single |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel