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1N3595US
1N3595US · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Microchip Technology
- Référence:
- 1N3595US
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 1 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1 V @ 200 MA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Microchip Technology |
| Référence de base | 1N3595 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 1 NA @ 125 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1 V @ 200 MA |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 3 µs |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
| Courant redressé moyen (Io) | 4A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | B, SQ-MELF |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel