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MMBD1501A
MMBD1501A · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- MMBD1501A
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 10 NA @ 180 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.1 V @ 200 MA
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Onsemi |
| Référence de base | MMBD1501 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 10 NA @ 180 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.1 V @ 200 MA |
| Capacité à Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | 150°C (Max) |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 200 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 200mA |
| Vitesse | Petit signal =< 200mA (Io), toute vitesse |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-23-3 |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel