Produits
ES2B-E3/5BT
ES2B-E3/5BT · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- ES2B-E3/5BT
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 900 MV @ 2 A
Demander un devis
Le prix, la disponibilité et la livraison sont confirmés dans le devis.
Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | ES2B |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 10 µA @ 100 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 900 MV @ 2 A |
| Capacité à Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 30 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 100 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 2A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-214AA (SMB) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Demander un devis
Composants sélectionnés
Tous les produits
XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel