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ESH2B-E3/5BT
ESH2B-E3/5BT · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- ESH2B-E3/5BT
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 930 MV @ 2 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | ESH2 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 2 µA @ 100 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 930 MV @ 2 A |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 35 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 100 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 2A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-214AA (SMB) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel