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BAS316WS
BAS316WS · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Référence:
- BAS316WS
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.25 V @ 150 MA
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Référence de base | BAS316 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 1 µA @ 75 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.25 V @ 150 MA |
| Capacité à Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 4 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
| Courant redressé moyen (Io) | 250mA |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOD-323F |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel