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TBAS16
TBAS16 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Référence:
- TBAS16
- Technologie:
- Standard
- Tension inverse CC maximale (Vr):
- 80 V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Référence de base | TBAS16 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Technologie | Standard |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 80 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 215mA |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-23-3 |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel


