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GD2X100MPS12N
GD2X100MPS12N · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- Référence:
- GD2X100MPS12N
- Courant redressé moyen (Io) / diode:
- 136A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement:
- -55°C ~ 175°C
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Réseaux de diodes |
| Série | MSP |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Référence de base | GD2X |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant redressé moyen (Io) / diode | 136A (DC) |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.8 V @ 100 A |
| Configuration des diodes | 2 indépendants |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0 Ns |
| Technologie | Schottky SiC (carbure de silicium) |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 1200 V |
| Vitesse | Sans temps de recouvrement > 500mA (Io) |
| Courant de fuite inverse à Vr | 25 µA @ 1200 V |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-227 |
| Boîtier | Tube |
| Type de montage | Montage sur châssis |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel