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Produits

RBR5RSM40BTFTL1

RBR5RSM40BTFTL1 · Composants électroniques

Informations produit

Fabricant:
Rohm Semiconductor
Référence:
RBR5RSM40BTFTL1
Courant de fuite inverse à Vr:
120 µA @ 40 V
Tension directe maximale (Vf) à If:
530 MV @ 5 A

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Caractéristiques techniques

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Identification du composant

ParamètreValeur
CatégorieSemi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples
SérieAutomobile, AEC-Q101
FabricantRohm Semiconductor

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Courant de fuite inverse à Vr120 µA @ 40 V
Tension directe maximale (Vf) à If530 MV @ 5 A
TechnologieSchottky
Température de jonction en fonctionnement150°C
Tension inverse CC maximale (Vr)40 V
Courant redressé moyen (Io)5A
VitesseRecouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io)

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Type de montageMontage en surface
Boîtier indiqué par le fabricant–-277A
BoîtierBande et bobine (TR) Bande coupée (CT)

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Description

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