HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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Produits

XR2206

XR2206 · Micron / ISSI / Samsung · Circuits intégrés

Informations produit

Référence:
XR2206
Type:
IC
Type de FET:
.

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Caractéristiques techniques

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Identification du composant

ParamètreValeur
DescriptionXR2206

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
TypeIC
Type de FET.
Courant de sortie maximal.
Courant d’alimentation.
Tension d’alimentation.
Fréquence maximale.
Puissance maximale.
Tolérance.
Fonction.
Tension d’alimentation interne.
Fréquence de coupure ou centrale.
Alimentation isolée.
Tension d’isolation.
Courant de sortie de crête.
Type d’entrée.
Type de sortie.
Tension de sortie maximale.
Impédance.
Fréquence de l’oscillateur local.
Fréquence RF.
Plage d’entrée.
Puissance de sortie20dBm
Modulation.
GPIO8
CI / composant utilisé.
Résistance (Ω).

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Dimensions.

Mémoire et interfaces

ParamètreValeur
Modulation ou protocole.
Capacité mémoire.
Interfaces sérieSPI, UART
Type de mémoire.

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Champs d’origine · anglais · 19

Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.

CetificateISO9001, ISO14001, Rohs
Current - Leakage (IS(off)) (Max).
Current - Output High, Low.
Voltage - Forward (Vf) (Typ).
Current - DC Forward (If) (Max).
Current Transfer Ratio (Min).
Current Transfer Ratio (Max).
Voltage - Off State.
Static DV/dt (Min).
Current - LED Trigger (Ift) (Max).
Current - On State (It (RMS)) (Max).
Impedance - Unbalanced/Balanced.
Output Power.
Frequency Bands (Low / High).
Specifications.
Protocol802.11b/g/n
Standards.
Style.
Writable Memory.

Description

La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.

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