HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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Produits

MLX90640

MLX90640 · Micron / ISSI / Samsung · Circuits intégrés

Informations produit

Référence:
MLX90640
Tension de sortie:
2.5V ~ 3.6V
Type de FET:
.

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Caractéristiques techniques

Même modèle · paramètres cohérents

Identification du composant

ParamètreValeur
RéférenceMLX90640
DescriptionIC ESP8266EX

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Tension de sortie2.5V ~ 3.6V
Type de FET.
Courant de sortie maximal.
Courant d’alimentation.
Tension d’alimentation.
Fréquence maximale.
Puissance maximale.
Tolérance.
Fonction.
Tension d’alimentation interne.
Fréquence de coupure ou centrale.
Alimentation isolée.
Tension d’isolation.
Courant de sortie de crête.
Type d’entrée.
Type de sortie.
Tension de sortie maximale.
Impédance.
Fréquence de l’oscillateur local.
Fréquence RF.
Plage d’entrée.
Puissance de sortie20dBm
Modulation.
GPIO8
CI / composant utilisé.
Résistance (Ω).

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Type de montageMontage en surface
Dimensions.

Mémoire et interfaces

ParamètreValeur
Modulation ou protocole.
Capacité mémoire.
Interfaces sérieSPI, UART
Type de mémoire.

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Champs d’origine · anglais · 21

Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.

TypeSensor Module
Current - Leakage (IS(off)) (Max).
Current - Output High, Low.
Voltage - Forward (Vf) (Typ).
Current - DC Forward (If) (Max).
Current Transfer Ratio (Min).
Current Transfer Ratio (Max).
Voltage - Off State.
Static DV/dt (Min).
Current - LED Trigger (Ift) (Max).
Current - On State (It (RMS)) (Max).
Impedance - Unbalanced/Balanced.
Output Power.
Frequency Bands (Low / High).
Specifications.
Protocol802.11b/g/n
Standards.
Style.
Writable Memory.
PackingStandard Package
PackagingSafe

Description

La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.

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