HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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Produits

W79E2051AKG

W79E2051AKG · Micron / ISSI / Samsung · Circuits intégrés

Informations produit

Référence:
W79E2051AKG
Tension de claquage:
V
Fréquence de commutation:
Hz

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Caractéristiques techniques

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Identification du composant

ParamètreValeur
RéférenceW79E2051AKG

Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Tension de claquageV
Fréquence de commutationHz
Puissance (W)W
Température de fonctionnementC
Tension d’alimentation minimaleV
Tension d’alimentation maximaleV
Tension de sortieV
Courant de sortie par canalA
FréquenceHz
ApplicationsCircuit intégré
Courant de sortie maximalA
Courant d’alimentationA
Tension d’alimentationV
Fréquence maximaleHz
Puissance maximaleW
Puissance de sortie20.5dBm, 20.5dBm
ModulationCCK, DSSS, OFDM

Mémoire et interfaces

ParamètreValeur
Interfaces sérieGPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Champs d’origine · anglais · 9

Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.

TypeIntegrated Circuit, Drive IC
DescriptionW79E2051AKG DIP-20 Microcontroller
Mounting TypeSmt/tht
Memory Size448kB ROM, 536kB SRAM
Protocol802.11b/g/n
Utilized IC / PartESP32-D0WD, ESP32-D0WD
Lead Free StatusRoHS Compliant
PackingStand Packing
NameW79E2051AKG

Description

La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.

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