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EM78P447NASJ
EM78P447NASJ · Micron / ISSI / Samsung · Circuits intégrés
Informations produit
- Référence:
- EM78P447NASJ
- Tension de claquage:
- V
- Fréquence de commutation:
- Hz
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | EM78P447NASJ |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Tension de claquage | V |
| Fréquence de commutation | Hz |
| Puissance (W) | W |
| Température de fonctionnement | C |
| Tension d’alimentation minimale | V |
| Tension d’alimentation maximale | V |
| Tension de sortie | V |
| Courant de sortie par canal | A |
| Fréquence | HZ |
| Applications | Circuit intégré |
| Puissance de sortie | 20.5dBm, 20.5dBm |
| Modulation | CCK, DSSS, OFDM |
Mémoire et interfaces
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Interfaces série | GPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Type | Integrated Circuit, Drive IC |
|---|---|
| Description | MCU Ic Chip |
| Memory Size | 448kB ROM, 536kB SRAM |
| Protocol | 802.11b/g/n |
| Utilized IC / Part | ESP32-D0WD, ESP32-D0WD |
| Name | EM78P447NASJic Em78p447namj |
Description
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