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MJ15022
MJ15022 · Micron / ISSI / Samsung · Circuits intégrés
Informations produit
- Référence:
- MJ15022
- Température de fonctionnement:
- C
- Application:
- Usage général
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Description | MJ15022 MJ15023 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Température de fonctionnement | C |
| Application | Usage général |
| Puissance maximale | W |
| Puissance de sortie | W |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | MJ15022 MJ15023, Montage traversant |
| Boîtier | –-3 |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 28
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Type | Transistor, Other, MOSFET |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Brand | Transistor |
| Current - Collector (Ic) (Max) | A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | N |
| Current - Collector Cutoff (Max) | N |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | N |
| Frequency - Transition | N |
| Resistor - Base (R1) | R |
| Resistor - Emitter Base (R2) | R |
| FET Type | N |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | N |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | N |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | N |
| Frequency | N |
| Current Rating (Amps) | A |
| Noise Figure | N |
| Voltage - Rated | V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | V |
| Vgs (Max) | V |
| IGBT Type | N |
| Applications | Ic Chips |
| Lead Free Status | RoHS Compliant |
| Packing | Standard Package |
Description
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