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1N4448
1N4448 · ROHM / UTC · Circuits intégrés
Informations produit
- Référence:
- 1N4448
- Type:
- IC CHIP
- Courant redressé moyen (Io):
- 200mA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Description | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type | IC CHIP |
| Courant redressé moyen (Io) | 200mA |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1V @ 100mA |
| Courant de fuite inverse à Vr | 5uA @ 75V |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 8327382 |
| Vitesse | Petit signal =< 200mA (Io), toute vitesse |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 4ns |
| Capacité à Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Plage de température de fonctionnement | - 55 C – + 150 C |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | 153821123 |
| Boîtier | Montage en surface |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
|---|---|
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Product | Switching Diodes |
| Recovery Time | 4 Ns |
| Forward Voltage Drop | 1.2 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 MW |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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