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MBRS1100T3G
MBRS1100T3G · ROHM / UTC · Circuits intégrés
Informations produit
- Référence:
- MBRS1100T3G
- Courant redressé moyen (Io):
- 1A
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 750mV @ 1A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Description | DIODE Schottky 100V 1A SMB |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant redressé moyen (Io) | 1A |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 750mV @ 1A |
| Courant de fuite inverse à Vr | 500A @ 100V |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 8327382 |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | 326764592 |
| Boîtier | Montage en surface |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 8
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Type | Signal Diode |
|---|---|
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
| Max. Forward Voltage | 100v |
| Max. Reverse Voltage | 1a |
| Max. Forward Current | 500MA |
| Max. Reverse Current | 5uA |
| Diode Type | Schottky |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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