HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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Produits

IRF9640PBF

IRF9640PBF · ROHM / UTC · Circuits intégrés

Informations produit

Référence:
IRF9640PBF
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Référence croisée:
NEW

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Caractéristiques techniques

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Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Référence croiséeNEW
Type de FETCanal P

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Type de montageMontage traversant
Boîtier–-220-3

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Champs d’origine · anglais · 13

Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.

TypeIc, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor
Package TypeThrought Hole
ApplicationIrf Transistor
BrandMOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
Drain To Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor

Description

La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.

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