HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
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Produits

irfb4110PBF

irfb4110PBF · ROHM / UTC · Circuits intégrés

Informations produit

Référence:
irfb4110PBF
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Référence croisée:
NEW

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Caractéristiques techniques

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Caractéristiques électriques

ParamètreValeur
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Référence croiséeNEW
MarqueTRANS NPN 400V 1.5A SOT-32
Puissance maximale40W

Boîtier et mécanique

ParamètreValeur
Type de montageMontage traversant
Boîtier–-225AA, –-126-3

Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.

Champs d’origine · anglais · 9

Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.

TypeIC CHIP, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor
Package TypeThrought Hole
ApplicationIrf Transistor
Current - Collector (Ic) (Max)1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor

Description

La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.

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Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.

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