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IRFB4227PBF
IRFB4227PBF · ROHM / UTC · Circuits intégrés
Informations produit
- Référence:
- IRFB4227PBF
- Température de fonctionnement:
- -, -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de FET:
- -, Canal N
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Description | Transistors |
| Référence | IRFB4227PBF |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Température de fonctionnement | -, -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de FET | -, Canal N |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | -, Montage en surface, Montage traversant |
| Boîtier | -, –-252-3 |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-220AB |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 12
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Type | Pentode Transistor, Ic Chips |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Electronic |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | -, 700V, 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | -, 8.5A (Tc), 65A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | -, 600mOhm @ 1.8A, 10V, 24 MOhm @ 46A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | -, 5V @ 250uA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | -, 10.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | -, 364pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Description
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