SE15PGHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1.5 A
Produits
TLC27M2ACDRG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.62 V/µs
S4PG-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 4 A
TLV2322IPWR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.03 V/µs
HS1JFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
BYG20G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
INA2181A4QDGSRQ1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
VS-3EGH06-M3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
FR307G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
RS1PJHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
OPA137NA/250 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 3.5 V/µs
VS-2EJH01HM3/6A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
OPA2347EA/3KG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.17 V/µs
RS1PDHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
S5K · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S1MB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
TLE2021AQDRG4Q1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.65 V/µs
SBR5E60P5-13D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 220 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 5 A