TL062ACDRE4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 3.5 V/µs
Produits
MBRD330 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 3 A
SR510H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 5 A
TL3474ACN · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
RS2G-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1.5 A
TS321IDBVRG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.4 V/µs
RS2G-M3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1.5 A
SBR5E45P5-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 280 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 5 A
SF36G-AP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.27 V @ 3 A
TL072IDE4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
SL23HE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 395 MV @ 1 A
LM318PSR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 70 V/µs
SS32-M3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
ES15DLW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1.5 A
AR1PMHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1 A
TL062CPWG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 3.5 V/µs
HER156G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1.5 A
VS-3ECH01-M3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 3 A