BYG10J-M3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
Produits
6A60GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 6 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
HER307G-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
TSV6393AIST · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.1 V/µs
TSSA3U60H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 540 MV @ 3 A
TL022CPSR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
SVM845LB_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 8 A
HER302G-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
TL084IYDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 16 V/µs
ES3DHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 3 A
TSV914IYPT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 4.5 V/µs
ES2FH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
SF1200-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.4 V @ 1 A
MUR190H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 900 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
1N5406GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 3 A
MC3303DG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.6 V/µs
BYV13-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A