SD840S_S2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 8 A
Produits
TLV341AIDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1 V/µs
BD8150S_L2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 8 A
S4PD-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 4 A
CMSH1-20 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
S3BHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
TLV2460IDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.6 V/µs
V20K150-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.41 V @ 20 A
OPA140ATDD1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Nombre de circuits
- 1
FR306G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
V10PM12-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 830 MV @ 10 A
SM73308MGE/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.4 V/µs
SR306H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 3 A
AMC1301SDWV · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Tension de décalage d’entrée
- 50µV
- Nombre de circuits
- 1
V12P15-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.08 V @ 12 A
SBR5E45P5-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 280 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 5 A
AU2PK-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 2 A
INA131BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Vitesse de balayage
- 0.7 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 10µV