V2NM153HM3/H · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr20 µA @ 150 VTension directe maximale (Vf) à If970 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.LMV824DR2G · Composants électroniquesFabricantOnsemiType d’amplificateurUsage généralVitesse de balayage2 V/µs Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SBR3U60P5Q-7D · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr100 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If620 MV @ 3 A Demander un devis
SS110 · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr100 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If800 MV @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.THS4501IDGK · Composants électroniquesFabricantTexas InstrumentsType d’amplificateurDifférentielVitesse de balayage2800 V/µs Demander un devis
ES2B · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If950 MV @ 2 A Demander un devis
TLC271BIDR · Composants électroniquesFabricantTexas InstrumentsType d’amplificateurUsage généralVitesse de balayage5.3 V/µs Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SE12DG-M3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr20 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 12 A Demander un devis
HS3BB · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.AU3PJ-M3/87A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.9 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.OPA857TD2 · Composants électroniquesFabricantTexas InstrumentsType d’amplificateurUsage généralVitesse de balayage220 V/µs Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SVT10120V_R1_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr25 µA @ 120 VTension directe maximale (Vf) à If800 MV @ 10 A Demander un devis
MCP601-I/ST · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyType d’amplificateurUsage généralVitesse de balayage2.3 V/µs Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.AU3PD-M3/87A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.9 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.NRVTS15100PFST3G · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr50 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If810 MV @ 15 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.OPA2541BM · Composants électroniquesFabricantTexas InstrumentsVitesse de balayage8 V/µsTension de décalage d’entrée250µV Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PG600M_R2_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr1 µA @ 1000 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 6 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RBR1L60ATE25 · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr75 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If530 MV @ 1 A Demander un devis