BYR29-800 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 8 A
Produits
MCP6241-E/MC · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.3 V/µs
MUR315S · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
ESH3C · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SF62G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 6 A
V15P45S-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 400 MV @ 5 A
THS4120ID · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Différentiel
- Vitesse de balayage
- 55 V/µs
VS-4ESH02-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 4 A
NCS210RMUTAG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Vitesse de balayage
- 1 V/µs
V5NM153-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 5 A
MUR360SB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
S3M · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A
THS4211DGK · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 970 V/µs
RB168M150DDTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 1 A
TSV631ICT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.34 V/µs
MBR8170TFSTXG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 170 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 890 MV @ 8 A
S5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SR1040 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 5 A