VS-8EWH02FNTRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 8 A
Produits
BAV5004LP-7B · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 240 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.29 V @ 200 MA
SB12100-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 12 A
VIT5200-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 5 A
TLV4170IDR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.4 V/µs
TSSA5U60HE3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 5 A
OPA2357AIDGST · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 150 V/µs
SR1060L-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 10 A
STPS3L60SY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 55 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 3 A
NTS12100MFST1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 55 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 730 MV @ 12 A
RBR5L30BTE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 5 A
OPA338NA/250 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 4.6 V/µs
SE10DJHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 10 A
MCP6N16-100E/MF · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension de décalage d’entrée
- 85µV
- Nombre de circuits
- 1
BYC5D-500 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 5 A
LM358S-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant d’alimentation
- 1.2 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 250 NA
20TQ040 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.7 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 570 MV @ 20 A
UH4PCCHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 2 A