VS-18TQ035S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 18 A
Produits
LMP8480MME-S/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Vitesse de balayage
- 1 V/µs
S10JC · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 10 A
MC33078DGKT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 2.05 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 750 NA
MURB10120C-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.4 V @ 10 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.8 V/µs
FESB8BTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
SRAS2060H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 20 A
OPA364IDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 5 V/µs
FESB8CTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
VB20120S-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.12 V @ 20 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 10 V/µs
FESB8BTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
FESB8ATHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
BUF602IDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Vitesse de balayage
- 8000 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 16mV
FESB8DTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
OPA4180IPWR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Dérive nulle
- Vitesse de balayage
- 0.8 V/µs
V30K202HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.04 V @ 30 A