1N643 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
Produits
LM358ADGKR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.3 V/µs
VS-18TQ035STRLHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 18 A
VS-20ETS12STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 20 A
LM2902DR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
VS-18TQ035STRRHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 18 A
VS-15ETH03STRLHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 15 A
LM358ST · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.6 V/µs
SD175SB45B.T2 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 640 MV @ 30 A
VS-HFA25TB60SR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 50 A
LM224QT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.4 V/µs
SD125SC150A.T1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 890 MV @ 15 A
VS-HFA25TB60SL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 50 A
LM358MX · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Tension de décalage d’entrée
- 2.9mV
1N4149-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
VS-18TQ040STRLHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 18 A
TL081CDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 16 V/µs
SD165SC150B.T2 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 890 MV @ 30 A