VS-HFA16TB120SR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.93 V @ 32 A
Produits
1N645-1E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 5 A
VS-ETU3006S2LHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 30 A
SF1606PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 8 A
HS5J · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
JAN1N4150UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
SF2008PTH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.9 V @ 20 A
TST30H100CW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 780 MV @ 15 A
IDH03SG60CXKSA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 3 A
VS-10ETF06FP-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 10 A
V30K202HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.04 V @ 30 A
VS-10ETF04FP-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 10 A
SF2008PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.9 V @ 20 A
SR1502 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 15 A
TST40L150CW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 20 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
TLV2462AMDREP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 550 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 14 NA