1N647/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
- Technologie
- Standard
Produits
DK025LTP · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 25 A
RHRP30120 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 30 A
SE12DGHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 12 A
VS-30ETS12S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
Dxx25L · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 15 A
TLV2782CD · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 650 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 15 PA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 8 A
VS-20ETF10STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF12STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
1N646/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
1N647-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
WNSC08650T6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
VS-20ETF08STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF10S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
SICU02120B-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 2 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 3 A