RB168LAM100TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 1 A
Produits
MD200A16D2-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PNE20010EXDX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 75 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.02 V @ 1 A
APT2X61D40J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 60 A
MDD44-16N1B · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 64A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SE30AFBHM3/6A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 3 A
MD165C16D2-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 165A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SS2P2L-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
DPG30C400HB · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
S2JAL · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
STTH61R04TV2 · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N4001GP-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
GHXS050B120S-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 101A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
EGP10C-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
APT40DQ60BCTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
MSC2X51SDA070J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
NRVUS2MA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1.5 A