RB218T150NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
Produits
S5GHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 5 A
FCQS20A045 · Composants électroniques
- Fabricant
- KYOCERA AVX
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PMEG4020ETP-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 2 A
VT10200C-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SK310HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 3 A
RB088T150NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
PMEG100T030ELPE-QZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 710 MV @ 3 A
RB218T-30NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
EGP10B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
RB088T-60NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
VS-3EYH02HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
RB218T-40NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
SS13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
VBT10200C-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S3D-E3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
RB088T-30NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
NRVS3MB · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A