MSCDC100KK170D1PAG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
Produits
STD1060 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 850 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 10 A
FST16035 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 160A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V8PM45-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 8 A
F1842CCD600 · Composants électroniques
- Fabricant
- Sensata-Crydom
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
AS1PJ-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
GHXS030A120S-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
STPS1L30MF · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 390 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 390 MV @ 1 A
DSEP2X91-03A · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 90A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MEK75-12DA · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 75A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S10GC · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 10 A
406CMQ200 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 990 MV @ 200 A
SS3H10HE3_B/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
MUR2X100A04 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
V8PM10HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 8 A
APT2X31D120J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 30 A
SS3H9-E3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
APT2X61D120J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 53A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 60 A