MUR260RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
Produits
BAS16HTW-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MBR120ESFT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
MMBD1404 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
MURA130T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
BAS16V-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MURS110T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
M1MA142WKT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
MBR120ESFT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
MMBD2004S-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MBRS130T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
PMBD7100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
NRVUS110VT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
1SS392 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
MURS210T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 940 MV @ 2 A
GSXD160A010S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 160A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MBRA160T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 1 A
HN1D03FU · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)