NTE632 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
Produits
1N4933 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
1S2074HTD-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
CMPSH-3AE · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BAS32L · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
MBRD1045CTQ-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4531 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
BAT54AHYT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 1 A
BAW56UE6327 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
VS-2EMH01-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 1A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
MMSD4148T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
BAS20LT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
1S954-TB · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
SDT5A50SA-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 5 A
1S953-TB · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac