1N485B · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 175 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
Produits
MBR10100CT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
1N4005-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
S16ASD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
VSSA3L6S-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 3 A
RBQ20BM65ATL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
1SS424(TPL3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 200 MA
RBR10BM40AFHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
FES2DEQ-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 2 A
1N4935-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
STPR2020CTW · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PU3JB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
V40PWM63CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
BAS21-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
S16KSD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
SURS8260T3G-VF01 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 2 A
SK3040CD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C