SBR10U40CTFP · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
Produits
· Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
STTH15AC06CT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RB521S-30DP-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
SBR10U300CTFP · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
PNE200100EPE-QZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 960 MV @ 10 A
SBR30200CTFP · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
BAT43W-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 260 MV @ 2 MA
MBRB30H45CTHE3_B/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
RSX048LAP2STR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 3 A
NTE644 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
1N4005RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SBR30A100CTFP · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
MBRAD5200H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 5 A
SD107WS-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
VF20200G-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
EGF1A-E3/5CA · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
VS-40CTQ045STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C