VS-60EPU06HN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.68 V @ 60 A
Produits
VS-6FR100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 19 A
VS-12FL20S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 12 A
JANHCA1N914 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 50 MA
VS-12FLR10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 12 A
1N5417E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
1N3611E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
VS-16FLR40S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 16 A
VS-12FLR20S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 12 A
1N4942 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
JANTX1N5616/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
VS-6F10 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 19 A
1N5617E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
VS-6FLR10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 6 A
1N3600UR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
JANTX1N6638/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA
1N3611E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A