JANTX1N6642US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
Produits
JANTX1N5621 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
1N5712-1E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 16 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 35 MA
JAN1N5804/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2.5 A
VS-60APF10-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 60 A
JAN1N6638US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA
JAN1N3957/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
1N3612/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
1N4946/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
JANTX1N5621/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
1N5817E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1 A
JANTX1N4944 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
JAN1N4944/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
1N5415 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
61SPB045A · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.2 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 660 MV @ 60 A
JAN1N5551/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
1N6642USE3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
62SPB030A · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 6 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 60 A