BAS16HMFHT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
Produits
VS-30CTQ060STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ES1JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
MBRF30H100CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
STPS2545CGY-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
MMBD4148HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 855 MV @ 100 MA
V40100G-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
BAT54W_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 100 MA
VS-6CWQ06FNTRHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SS1H9-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 2 A
MBRB2560CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BAV19W-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
MBRF10100CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FR2GF_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
TSF10L200CW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NSVBAT54M3T5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
MBRB2545CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C